Статьи, каталог статей

Зависимость деформационного состояния пленок gaas на вицинальных подложках Si(001) от способа формирования первых монослоев прослойки GAP
Зависимость деформационного состояния пленок gaas на вицинальных подложках Si(001) от способа формирования первых монослоев прослойки GAP

Выявлена существенная зависимость деформационного состояния кристаллической решетки пленок GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии от способа зарождения первых слоев прослойки GaP (50 нм) на вицинальной подложке Si(001) 4° вокруг оси . Рост GaP начинался послойно с галлиевого или фосфорного подслоя. Установлено, что в случае зарождения GaP с галлия, пленка GaAs имеет значительный поворот кристаллической решетки вокруг направления . При формировании прослойки с фосфорного подслоя заметен поворот пленки GaAs вокруг . Степень релаксации пленки составляет более 100 %, она находится в латерально растянутом состоянии. Анализ проведен с использованием модели триклинных искажений. Представлена карта рассеяния в обратном пространстве, полученная с помощью рентгеновской дифрактометрии в трехосевой схеме малого разрешения. На карте явно виден факт поворота кристаллической решетки пленки GaAs.

1
Интегрально-дифференциальный метод термоспектроскопии энергетических уровней в полупроводниках по релаксации их заряда
Интегрально-дифференциальный метод термоспектроскопии энергетических уровней в полупроводниках по релаксации их заряда

Предложен принципиально новый метод измерения параметров энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводников от 0,07 до 0,4 эВ, основанный на интегрировании релаксирующего заряда этих уровней и дифференцировании интеграла заряда модулированием ширины временного окна импульса напряжения смещения малой амплитуды. Представлен математический аппарат предложенного метода, позволяющий моделировать температурный спектр энергетических уровней. Показано, что определение энергетического положения глубокого уровня возможно при одном проходе температурного сканирования, что снижает трудоемкость эксперимента. Проведено экспериментальное исследование энергетических уровней в светодиодной структуре зеленого свечения на основе AlGaN/InGaN/GaN. Выявлены уровни D E t = 0,14 ± 0,01 и D E t = 0,2 ± 0,015 эВ предположительно принадлежащие V Ga и Mg соответственно.

2
Способ раздельного определения сопротивлений образца высокоомного полупроводника и контактов к образцу
Способ раздельного определения сопротивлений образца высокоомного полупроводника и контактов к образцу

Предложен метод раздельного определения сопротивлений образца-двухполюсника и контактов к нему, который применим к образцам высокоомных полупроводниковых материалов: полуизолирующего арсенида галлия, детекторного теллурида кадмия-цинка (КЦТ) и др. Метод основан на засветке приконтакных областей образца монохроматическим излучением регулируемой интенсивности от светодиодов с энергией кванта, превышающей ширину запрещенной зоны исследуемого материала. Экстраполяция прямолинейного участка зависимости фототока через образец от тока через светодиоды к оси ординат позволяет найти ток отсечки, после чего по известным значениям тока отсечки и напряжения смещения вычисляют значение сопротивления объема образца. Далее, зная темновое значение тока через образец, можно вычислить суммарное сопротивление контактов образца-двухполюсника. Метод опробован на образце полуизолирующего арсенида галлия n -типа электропроводности. Линейность контактов проверена по вольт-амперным характеристикам. Показано, что сопротивление контактов близко к сопротивлению объема образца, что подтверждает необходимость учета влияния контактов при анализе данных электрофизических измерений.

3
Дальнодействующие напряжения в эпитаксиальной пленке, созданные дислокациями несоответствия
Дальнодействующие напряжения в эпитаксиальной пленке, созданные дислокациями несоответствия

Для границы раздела (ГР) произвольной ориентации ( hkl ) впервые получено выражение, устанавливающее взаимосвязь между параметром несоответствия эпитаксиальной гетеросистемы f, числом дислокационных семейств, участвующих в процессе снятия напряжений несоответствия, линейными плотностями дислокаций несоответствия (ДН) каждого семейства, а также значениями проекций краевых компонент векторов Бюргерса ДН на ГР. Для получения выражения рассмотрены дальнодействующие поля нормальных и сдвиговых напряжений, возникающие в приповерхностном слое эпитаксиальной пленки. Сформулированы критерии оптимального и неоптимального протекания релаксационного процесса снятия напряжений несоответствия. Для ГР (001) и (111) обсуждена проблема уменьшения плотности пронизывающих дислокаций при введении пересекающихся ДН, имеющих одинаковые векторы Бюргерса (Г-образных ДН). Показано, что эффективная генерация таких ДН возможна только на начальной стадии релаксационного процесса, поскольку сопровождается увеличением уровня дальнодействующих сдвиговых напряжений.

4
Изучение островковых пленок диселенида олова
Изучение островковых пленок диселенида олова

Методом инконгруэнтного испарения получены многокомпонентные наногетероструктуры с самоорганизованными квантово-размерными точками. Выращены островковые пленки на основе промежуточных фаз, образующихся в системе Sn-Se. Исследована морфология поверхности полученных структур с помощью атомно-силовой микроскопии. Установлено, что определенное изменение запрещенной зоны подтверждает проявление эффекта размерного квантования спектра электронных состояний в структурах. Обнаружено, что для получения структур с однородным распределением островков необходимо проводить процесс инконгруэнтного испарения при высоких скоростях отбора конденсата. Установлено, что варьированием скорости инконгруэнтного испарения материала пленки можно направленно вырастить островковые пленки с заданным распределением островков по размерам.

5
Микроспектральное рамановское рассеяние на упругих деформациях балки кантилевера
Микроспектральное рамановское рассеяние на упругих деформациях балки кантилевера

Изучены изгибные упругие деформации монокристаллического кремния с помощью микроспектрального рамановского рассеяния. Представлены результаты исследований наноразмерных знакопеременных сдвигов основного пика микроспектрального рамановского рассеяния в балке кантилевера из монокристаллического кремния при воздействии на нее изгибных напряжений. Определена максимальная величина рамановского сдвига, характерного для пика кремния (518 см -1), при которой еще сохраняется упругость. Она составила 8 см -1, что соответствовало приложенной деформации 4 ГПа. Приведены трехмерные карты распределения внутренних напряжений при разных уровнях деформирования, вплоть до необратимых изменений и хрупкого разрушения исследуемых образцов, на которых наглядно показаны области сжатия, растяжения и недеформированная. Представлено качественное обоснование возрастания прочности микроразмерной балки кантилевера за счет размерного эффекта (малой ее толщины - 2 мкм), которое согласуется с расчетами реальных физических параметров, выполненными в программной среде SolidWorks с помощью модуля SimulationXpress. Установлено значение относительной деформации поверхности балки, которое составило 2 %, и получено подтверждение изменения периода кристаллической решетки кремния с 0,54307 до 0,53195 нм численными методами по алгоритму Бройдена-Флетчера-Гольдфарба-Шанно.

6
Формирование сквозных структур с различной пористостью на толстых пластинах монокристаллического кремния
Формирование сквозных структур с различной пористостью на толстых пластинах монокристаллического кремния

Электрохимическим травлением в растворах концентрированной плавиковой кислоты получены сквозные трехслойные структуры двух типов на пластинах монокристаллического кремния толщиной 500 мкм без применения дополнительных операций удаления монокристаллических слоев. Сквозная структура первого типа содержит крайние два слоя макропористого кремния толщиной 220-247,5 мкм с диаметром пор 7-10 мкм и средний слой мезопористого кремния толщиной 5-60 мкм с диаметром пор от 100 до 150 нм. Сквозная структура второго типа состоит из слоев макропористого кремния толщиной 250 мкм, смыкающихся в глубине пластины кремния посередине с образованием полостей размером 4-8 мкм. Разработана технология, которая позволяет более просто и надежно формировать монолитный каркас мембранно-электродного блока микротопливного элемента.

7
Профессор Семен Семенович Зимницкий (к 140-летию со дня рождения)
Профессор Семен Семенович Зимницкий (к 140-летию со дня рождения)

8
Динамическая непрерывная подготовка к информационной деятельности в профессиональной школе 9
Зарубежный опыт развития профессиональных учебных заведений и его использование в отечественной теории и практике профессионального образования 10
Формирование учебной мотивации через интерактивные технологии на занятиях иностранного языка
Формирование учебной мотивации через интерактивные технологии на занятиях иностранного языка

В статье обосновывается актуальность изучения проблемы формирования и способов повышения мотивации на занятиях иностранного языка, определяются благоприятные факторы для формирования учебной мотивации. Сравниваются исследования направленности и выявления уровня внутренней мотивации учебной деятельности на занятиях иностранного языка с применением традиционных и интерактивных методов обучения.

11
Интенсивные педагогические технологии: аспект опережения 12
Студент и наука, как совместимы эти понятия? 13
Маркетинг в образовании 14
Отношение к ЕГЭ в ССУЗ: проблемы и перспективы 15
Повышение качества гуманитарного компонента профессионального образования 16
Производственные практики как средство формирования профессиональной компетентности 17
Из опыта работы по реализации научно-методического обеспечения системы непрерывного образования «Школа-Колледж-ВУЗ» 18
Модернизация литературной подготовки будущего педагога среднего профессионального звена 19
Языковая подготовка в ССУЗ строительного профиля: блочно-модульное обучение 20